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J-GLOBAL ID：201203014462619695

ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法

Inventor： サクスラー,アダム・ウィリアム
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (5)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  富田 博行 ,  星野 修 ,  大塚 住江
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012148508
Publication number (International publication number)：2012238861
Application date： Jul. 02, 2012
Publication date： Dec. 06, 2012
Summary：

【課題】ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する。【解決手段】SiC層10にSiO2層を形成し、次いで、熱伝導率を高めるためにダイアモンド層11を形成する。そして、SiC層10の厚さを低減し、ダイアモンド層11及びSiC層10の向きを逆にしてダイアモンド11を基板とする。次いで、SiC層10上に、バッファ層16、ヘテロ構造層14及び15を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ワイドバンドギャップのデバイスであって、 ダイアモンド基板と、 前記ダイアモンド基板上に配置されたバッファ層と、 前記バッファ層上に配置された第1の層と、 前記第1の層上に配置されて、該第1の層とヘテロ構造を形成する第2の層と を含んでいることを特徴とするワイドバンドギャップ・デバイス。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/20

FI (3)：

H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L21/20

F-Term (46)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F152LL03 ,  5F152LN12 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM05 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152MM18 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN06 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN22 ,  5F152NP02 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09 ,  5F173AG11 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AR72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 結晶成長方法および半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336473   Applicant：松下電器産業株式会社
• 気相合成ダイヤモンドおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-253873   Applicant：住友電気工業株式会社
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-026280   Applicant：松下電器産業株式会社
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-104609   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体搭載パッケ-ジ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-248983   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド装置及び多結晶ダイヤモンド層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-138479   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-190006   Applicant：信越半導体株式会社
• 集積回路チップ構造及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-245862   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• 低転位バッファーおよびその製造方法ならびに低転位バッファーを備えた素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-368566   Applicant：理化学研究所, 学校法人早稲田大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• AlGaN/AlN/GaN High-Power Microwave HEMT