半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008273215
Publication number (International publication number)：2009135453
Application date： Oct. 23, 2008
Publication date： Jun. 18, 2009
Summary：

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするSOI基板で、レーザ光で表面を溶融させることにより、機械的な研磨が不要な半導体装置を提供する。【解決手段】ベース基板101、絶縁層116、接合層114、半導体層115を有するSOI基板に、レーザー光122を照射することにより半導体層115上面を溶融させ、冷却、固化することで、機械的な研磨を行わなくても、平坦性が優れたSOI半導体装置を提供できる。また、レーザー光の端部が照射された領域の半導体層は半導体素子として用いずに、レーザー光の端部以外が照射された領域の半導体層を半導体素子として用いることにより、半導体装置の性能を大きく向上することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、前記単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、前記絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、前記単結晶半導体層の一部の領域にパルスレーザー光を照射することにより、前記単結晶半導体層の欠陥を低減し、且つ、表面の平坦性を向上させ、前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子の活性層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 27/08 , H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (10)：

H01L27/12 B , H01L27/08 331E , H01L21/02 B , H01L21/265 Q , H01L21/20 , H01L29/78 627D , H01L29/78 627A , H01L29/78 627G , G02F1/1368 , H05B33/14 A

F-Term (191)：

2H092HA04 , 2H092JA25 , 2H092JA33 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA46 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB13 , 2H092KB22 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA20 , 2H092MA30 , 2H092NA25 , 2H092PA01 , 2H092PA11 , 2H092PA12 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC45 , 3K107EE04 , 3K107FF08 , 3K107FF13 , 5F048AA07 , 5F048AC04 , 5F048BA10 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BF02 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F110AA18 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE27 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF26 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ30 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL12 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN73 , 5F110NN77 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP26 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F152AA01 , 5F152AA10 , 5F152AA12 , 5F152AA13 , 5F152AA17 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC07 , 5F152CC08 , 5F152CC09 , 5F152CD12 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CE03 , 5F152CE06 , 5F152CE07 , 5F152CE08 , 5F152CE24 , 5F152CE29 , 5F152DD02 , 5F152DD06 , 5F152EE13 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF24 , 5F152FF28 , 5F152FF36 , 5F152FF39 , 5F152FG04 , 5F152FG08 , 5F152FG19 , 5F152FG23 , 5F152FH02 , 5F152FH03 , 5F152FH05 , 5F152FH08 , 5F152LM09 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152MM19 , 5F152NN03 , 5F152NN07 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NN19 , 5F152NP11 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ02 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ12 , 5F152NQ17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体基板及び半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147939 Applicant：株式会社デンソー

Cited by examiner (7)

電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-008981 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-042717
レーザー処理方法及びレーザー処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-158848 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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