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J-GLOBAL ID：201403023025753300

カーボン膜の成膜方法および成膜装置

Inventor：
大部 智行

About 大部 智行

, 
水永 覚

About 水永 覚

, 
大塚 武裕

About 大塚 武裕


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013101484
Publication number (International publication number)：2014033186
Application date： May. 13, 2013
Publication date： Feb. 20, 2014
Summary：
【課題】 段差被覆性が良好で、かつ、従来の熱CVD法よりも低い温度でカーボン膜を成膜することが可能なカーボン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】 カーボン膜が成膜される被処理基板を、成膜装置の処理室内に搬入する工程と(ステップ1)、処理室内において、炭化水素系カーボンソースガスを熱分解し、カーボン膜を被処理基板上に成膜する工程(ステップ2)とを具備し、ステップ2は、カーボン膜の成膜温度を、炭化水素系カーボンソースガス単体のプラズマアシストが無い状態での熱分解温度未満の温度とし、炭化水素系カーボンソースガスと、ハロゲン元素を含む熱分解温度降下ガスとを処理室内に導入し、ノンプラズマの熱CVD法にて行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
被処理基板上に、カーボン膜を成膜するカーボン膜の成膜方法であって、 (1) カーボン膜が成膜される被処理基板を、成膜装置の処理室内に搬入する工程と、 (2) 前記処理室内において、炭化水素系カーボンソースガスを熱分解し、カーボン膜を前記被処理基板上に成膜する工程とを具備し、 前記(2)工程は、カーボン膜の成膜温度を、前記炭化水素系カーボンソースガス単体のプラズマアシストが無い状態での熱分解温度未満の温度とし、 前記炭化水素系カーボンソースガスと、ハロゲン元素を含む熱分解温度降下ガスとを前記処理室内に導入し、 ノンプラズマの熱CVD法にて行うことを特徴とするカーボン膜の成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/27
FI (3)：
H01L21/314 A ,  H01L21/31 B ,  C23C16/27
F-Term (33)：
4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BA29 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045BB17 ,  5F045CB06 ,  5F045DP19 ,  5F058BA09 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF26
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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