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J-GLOBAL ID：201103001135044547

アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置

Inventor：
岡田 充弘

About 岡田 充弘

, 
東條 行雄

About 東條 行雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 木村 満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010094417
Publication number (International publication number)：2011014872
Application date： Apr. 15, 2010
Publication date： Jan. 20, 2011
Summary：
【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。【解決手段】制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、複数枚の半導体ウエハWが収容された反応管2内を800°C〜950°Cに加熱する。次に、制御部100は、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内にパージガス供給管18から窒素ガスを供給することにより、反応管2内をパージして半導体ウエハWからの水を除去する。そして、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給することにより、半導体ウエハWにアモルファスカーボン膜を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
複数枚の被処理体が収容された反応室内を所定の温度に加熱し、加熱した反応室内に成膜用ガスを供給して被処理体にアモルファスカーボン膜を形成するアモルファスカーボン膜の形成方法であって、 前記被処理体にアモルファスカーボン膜を形成する前に、当該被処理体のアモルファスカーボン膜形成領域に水が吸着されることを防止する吸着防止工程を実施する、ことを特徴とするアモルファスカーボン膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/314 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/27
FI (3)：
H01L21/314 A ,  C23C16/02 ,  C23C16/27
F-Term (25)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030BA30 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA09 ,  5F058BA20 ,  5F058BC14 ,  5F058BD18 ,  5F058BE01 ,  5F058BE10 ,  5F058BF02 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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