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J-GLOBAL ID：201403027735021380

III族窒化物半導体基板およびその洗浄方法

Inventor：
藤戸 健史

About 藤戸 健史

, 
太田 弘貴

About 太田 弘貴

, 
久保 秀一

About 久保 秀一


Applicant, Patent owner：
三菱化学株式会社

About 三菱化学株式会社


Agent (1)： 特許業務法人特許事務所サイクス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013161647
Publication number (International publication number)：2014039028
Application date： Aug. 02, 2013
Publication date： Feb. 27, 2014
Summary：
【課題】ダングリングボンド密度が14.0nm-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】ダングリングボンド密度が14.0nm-2より大きい面を、デバイスを形成すべき主面、とし、且つ、該主面の表面粗さ(RMS)が0.1nm以下であることを特徴とする。III族窒化物半導体基板である。前記III族窒化物がGaNである。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が14.0nm-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する工程を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の洗浄方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304
FI (2)：
H01L21/306 B ,  H01L21/304 647Z
F-Term (23)：
5F043AA16 ,  5F043BB10 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10 ,  5F157AA23 ,  5F157AA43 ,  5F157AA70 ,  5F157AA73 ,  5F157AA82 ,  5F157AC01 ,  5F157BA02 ,  5F157BB02 ,  5F157BB73 ,  5F157BC03 ,  5F157BC07 ,  5F157BC12 ,  5F157CB03 ,  5F157CB13 ,  5F157DA21 ,  5F157DB03 ,  5F157DB18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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