界面安定化膜を備えた太陽電池

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：山田卓二 , 田中光雄 , 岡部博史 , 稲葉和久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012221492
Publication number (International publication number)：2014075440
Application date： Oct. 03, 2012
Publication date： Apr. 24, 2014
Summary：

【課題】トラップ準位を低減し、かつ、固定電荷の効果をより一層大きくできる界面安定化膜を備えた太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池は、n型シリコン半導体層と、n型シリコン半導体層と界面を有するp型シリコン半導体層と、n型シリコン半導体層の表面、又は、p型シリコン半導体層の表面の少なくともいずれかに設けられた界面安定化膜であって、SiOx(x≧2)からなる第1層と、Al2O3からなり、第1層との界面に固定電荷が局在する第2層と、AlOx(x>1.5)からなる第3層と、が順に積層された、界面安定化膜と、n型シリコン半導体層と接続された第1電極と、p型シリコン半導体層と接続された第2電極と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

n型シリコン半導体層と、前記n型シリコン半導体層と界面を有するp型シリコン半導体層と、前記n型シリコン半導体層の表面、又は、前記p型シリコン半導体層の表面の少なくともいずれかに設けられた界面安定化膜であって、 SiOx(x≧2)からなる第1層と、 Al2O3からなり、前記第1層との界面に固定電荷が局在する第2層と、 AlOx(x>1.5)からなる第3層と、が順に積層された、界面安定化膜と、前記n型シリコン半導体層と接続された第1電極と、前記p型シリコン半導体層と接続された第2電極と、を備えた太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 F

F-Term (7)：

5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB24 , 5F151DA03 , 5F151GA04 , 5F151HA03 , 5F151HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

太陽電池およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-126706 Applicant：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
太陽電池および太陽電池を製造する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-237353 Applicant：シノ-アメリカンシリコンプロダクツインコーポレイテッド, チェン,ミイン-ジャン
太陽電池素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-077383 Applicant：京セラ株式会社

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