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J-GLOBAL ID：201403038196946635

光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法

Inventor： 菊地 健司 ,  為村 成亨 ,  宮川 和典 ,  大竹 浩 ,  久保田 節
Applicant, Patent owner： 日本放送協会
Agent (2)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013210725
Publication number (International publication number)：2014209538
Application date： Oct. 08, 2013
Publication date： Nov. 06, 2014
Summary：

【課題】 本発明は、暗電流を低減し、高S/N比が得られる可視光用の光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 光電変換素子は、第1電極層と、前記第1電極層に積層されるp型半導体層と、前記p型半導体層に積層されるn型半導体層と、前記n型半導体層に積層される第2電極層とを具え、前記n型半導体層は、酸素欠陥又は不純物注入によってキャリア濃度が向上された酸化ガリウムで構成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極層と、 前記第1電極層に積層されるp型半導体層と、 前記p型半導体層に積層されるn型半導体層と、 前記n型半導体層に積層される第2電極層と を具え、 前記n型半導体層は、酸素欠陥又は不純物注入によってキャリア濃度が増大された酸化ガリウム層で構成される、光電変換素子。

IPC (1)：

H01L 31/10

FI (1)：

H01L31/10 A

F-Term (4)：

5F049MA02 ,  5F049MB01 ,  5F049SE04 ,  5F049SS01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 光電変換素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-238558   Applicant：出光興産株式会社
• スイッチング制御装置及びショットキーダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-080503   Applicant：株式会社光波, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 紫外透明導電膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-182643   Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛
• 紫外線センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-236278   Applicant：株式会社光波, 独立行政法人物質・材料研究機構
• 光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-056123   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Growth and etching characteristics of gallium oxide thin films by pulsed laser deposition