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J-GLOBAL ID：201403053309468173

相補型MIS装置の製造方法

Inventor：
大見 忠弘

About 大見 忠弘

, 
小谷 光司

About 小谷 光司

, 
須川 成利

About 須川 成利


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学


Agent (2)： 池田 憲保 ,  福田 修一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013035741
Publication number (International publication number)：2013153176
Patent number：5553276
Application date： Feb. 26, 2013
Publication date： Aug. 08, 2013
Claim (excerpt)：
【請求項1】 Si基板と、 前記Si基板の(100)面上にプラズマ酸化によって形成された第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、 前記第1のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のn型拡散領域とよりなるnチャネルMISトランジスタと、 前記Si基板の前記(100)面上に前記第1のゲート絶縁膜とは異なる位置に前記プラズマ酸化によって形成された第2のゲート絶縁膜と、 前記第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のゲート電極と、 前記第2のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のp型拡散領域とよりなるpチャネルMISトランジスタとよりなり、 前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とは共通接続され、 前記第2のp型拡散領域と前記第1のn型拡散領域とは共通接続され、 前記pチャネルMISトランジスタと、前記nチャネルMISトランジスタとは、同一の素子面積を有する相補型MIS装置の製造方法であって、 前記nチャネルMISトランジスタは、前記第1のゲート絶縁膜で覆われており面方位が(110)面の両側壁を有する第1の突出部を有し、 前記pチャネルMISトランジスタは、前記第2のゲート絶縁膜で覆われており面方位が(110)面の両側壁を有する第2の突出部を有し、 前記pチャネルMISトランジスタの電流駆動能力と前記nチャネルMISトランジスタの電流駆動能力とが平衡するように前記第1の突出部、および前記第2の突出部の、幅と、高さとを、それぞれ設定することを特徴とする相補型MIS装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (5)：
H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 21/316 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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