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J-GLOBAL ID：201403066379430232

窒化物半導体薄膜の成長方法

Inventor：
赤坂 哲也

About 赤坂 哲也

, 
小林 康之

About 小林 康之

, 
嘉数 誠

About 嘉数 誠


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011033330
Publication number (International publication number)：2012171816
Patent number：5458037
Application date： Feb. 18, 2011
Publication date： Sep. 10, 2012
Claim (excerpt)：
【請求項1】 窒化物半導体基板の主方位面上に、表面積が30平方マイクロメートル以上1,000,000平方マイクロメートル以下である制限領域を形成する工程と、 アンモニアガス雰囲気中において、キャリアガスとして水素ガス又は水素の割合が60%以上100%未満の水素と窒素の混合ガスを用いてIII族原料を供給し、前記制限領域内で前記窒化物半導体基板のミスカットによる分子層ステップをステップフロー成長させ、前記制限領域内に前記ミスカットにより前記窒化物半導体基板の主方位面に対して傾斜した(0001)面テラスを形成する第1の成長工程と、 前記キャリアガスを窒素ガス又は水素の割合が0%超40%以下の水素と窒素の混合ガスに変えて、1平方メートル当たり毎秒109個以上の核生成頻度で、前記制限領域内の前記(0001)面テラス上に複数の2次元核を形成する第2の成長工程と、 前記キャリアガスを水素ガス又は水素の割合が60%以上100%未満の水素と窒素の混合ガスに変えて、前記(0001)面テラス上の前記複数の2次元核を横方向成長により互いにつなげ、1分子層の厚さの連続的な窒化物半導体薄膜にする第3の成長工程と を含むことを特徴とする窒化物半導体薄膜の成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/16 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (4)：
C30B 29/38 D ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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