Pat
J-GLOBAL ID：201003018238717500
窒化物半導体構造
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
谷 義一
, 濱中 淳宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009070609
Publication number (International publication number)：2010222174
Application date： Mar. 23, 2009
Publication date： Oct. 07, 2010
Summary：
【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供すること。【解決手段】窒化物半導体基板101は、(0001)面を主方位面とするGaNであり、らせん成分を含む貫通転位104の密度は1×105cm-2であった。窒化物半導体基板101の主方位面上にマスク材102(酸化シリコン薄膜、厚さ100nm)が形成されている。また、マスク材102には複数の開口部103が開けられている。開口部103のそれぞれは、1辺が8ミクロンの正六角形である。開口部103のそれぞれには、厚さが500nmのGaN薄膜105が形成されている。様々な条件下で貫通転位104の密度と開口部103の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がN cm-2である場合、各開口部103の面積が1/N cm2以下であれば各開口部103内に形成した窒化物半導体薄膜の表面が平坦になることを見出した。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板上に形成された、複数の開口部を有するマスク層と、
前記複数の開口部のそれぞれに形成された複数の窒化物半導体薄膜と
を備える窒化物半導体構造であって、
各開口部の面積は、前記窒化物半導体基板のらせん成分を含む貫通転位密度の逆数より狭いことを特徴とする窒化物半導体構造。
IPC (3)：
C30B 29/38
, H01L 29/88
, H01L 21/205
C30B29/38 D
, H01L29/88
, H01L21/205
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 5F045AB14
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045DA52
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DB02
Cited by examiner (9)
-
GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および半導体デバイス
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-039411
Applicant：住友電気工業株式会社
-
窒化物半導体ウェハ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2006-163084
Applicant：三菱電線工業株式会社
-
無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-350701
Applicant：三菱電線工業株式会社
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