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J-GLOBAL ID：201403089450515660

窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法

Inventor： 橋本 健宏 ,  古家 大士 ,  只友 一行 ,  岡田 成仁 ,  山根 啓輔
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ ,  国立大学法人山口大学
Agent (2)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014033208
Publication number (International publication number)：2014196230
Application date： Feb. 24, 2014
Publication date： Oct. 16, 2014
Summary：

【課題】暗点密度が小さく、厚みが0.2〜5mm、アズグロウンの結晶表面のRMSが300nm未満の平滑な面を持ち、無極性或いは半極性の面方位を有する大面積のGaN結晶自立基板を、低コストで、簡便な操作で、且つ結晶品質を劣化させることなく得る方法を提供する。【解決手段】下地基板の主面に対して傾斜した側壁を有する複数本の溝部を形成したサファイア下地基板上に窒化ガリウム結晶層を成長させて、{11-22}面などの半極性又は{11-20}面などの無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶自立基板を製造する方法において、サファイア下地基板上にMOVPE法により0.05〜5μm厚の半極性又は無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶層を形成し、その表面の一部をマスキングした後、HVPE法により0.2〜5mm厚の半極性又は無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶層を形成し、その後サファイア下地基板を分離せしめる。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

下地基板の主面に対して傾斜した側壁を有する複数本の溝部を形成したサファイア下地基板上に半極性又は無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶層を成長させて、半極性又は無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶自立基板を製造する方法において、 前記サファイア下地基板上に有機金属気相成長(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:MOVPE)法により、0.05〜5μm厚の半極性又は無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶層を形成し、次いで当該結晶層の表面の一部をマスキングした後、当該結晶層表面上にハイドライド気相成長(Hydride Vapor Phase Epitaxy:HVPE)法により0.2〜5mm厚の半極性又は無極性の主面を持つ窒化ガリウム結晶層を形成し、その後サファイア下地基板を分離せしめることを特徴とする窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  H01L21/205

F-Term (37)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-192834   Applicant：古河機械金属株式会社
• 窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-049487   Applicant：株式会社トクヤマ, 国立大学法人山口大学
• 窒化ガリウムの結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-210506   Applicant：住友電気工業株式会社
• 3-5族窒化物半導体積層基板、3-5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-256022   Applicant：住友化学株式会社, 国立大学法人三重大学
• 様々な基板上の(Al,In,Ga,B)NのM面および半極性面の結晶成長
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-541345   Applicant：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• r面サファイア加工基板上{11-22}GaN成長における転位ブロッキング