窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：小野尚純 , 奥貫佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011049487
Publication number (International publication number)：2012184144
Application date： Mar. 07, 2011
Publication date： Sep. 27, 2012
Summary：

【課題】貫通転位密度が低く高い結晶性を有するGaNのa面:<11-20>面やm面:<1-100>面を主面とする基板、或いは<11-22>面を主面とする基板など、多様な面方位の面がサファイア下地基板上に積層されたGaN積層基板、並びにその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア下地基板10と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板10の主面に複数本形成された溝部の各側壁21から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成された、a面やm面などの無極性面、<11-22>面等の半極性面からなり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が2×108個/cm2未満、好ましくは1.85×108個/cm2以下、特に好ましくは1.4×108個/cm2以下である窒化ガリウム結晶積層基板。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

サファイア下地基板と、該基板上に結晶成長せしめて形成された窒化ガリウム結晶層とを含み、該窒化ガリウム結晶層は、サファイア下地基板の主面に複数本形成された溝部の各側壁から横方向結晶成長して該主面と平行に表面が形成されたものであり、且つ、該窒化ガリウム結晶の暗点密度が2×108個/cm2未満であることを特徴とする窒化ガリウム結晶積層基板。

IPC (4)：

C30B 29/38 , C30B 25/18 , C23C 16/34 , H01S 5/323

FI (4)：

C30B29/38 D , C30B25/18 , C23C16/34 , H01S5/323 610

F-Term (25)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB13 , 4K030CA01 , 4K030DA03 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA03 , 5F173AP19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

窒化ガリウム系化合物半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-190407 Applicant：国立大学法人徳島大学, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
III族窒化物半導体薄膜およびIII族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-077492 Applicant：国立大学法人徳島大学, 三星電機株式会社
パターン化されたサファイア基板および発光ダイオードの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-011494 Applicant：國立中央大學

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Semipolar GaN films on patterned r -plane sapphire obtained by wet chemical etching"

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