Pat
J-GLOBAL ID：201403091863078203
トンネル磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 渡辺 敏章
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011518149
Patent number：5456035
Application date： Jun. 08, 2009
Claim (excerpt)：
【請求項1】 垂直磁化膜からなる記録層と、
垂直磁化膜からなる固定層と、
前記記録層と前記固定層の間に配置された非磁性層と、
前記記録層と前記固定層のそれぞれに接して形成され、前記記録層の磁化の向きを反転させるための電流を素子膜厚方向に流すための一対の電極層とを備え、
前記記録層は第1の領域と第2の領域をそれぞれ少なくとも一つ含み、前記第1の領域における単位面積あたりの磁気モーメントは前記第2の領域における単位面積あたりの磁気モーメントよりも低く、
前記記録層の外周部分に前記第2の領域が占める割合は前記第1の領域が占める割合より大きい
ことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G11C 11/15 ( 200 6.01)
H01L 27/10 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
, G11C 11/15 140
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (5)
Show all
Return to Previous Page
