トンネル接合型磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：ポレール特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2009202412
Publication number (International publication number)：2011054238
Patent number：5588642
Application date： Sep. 02, 2009
Publication date： Mar. 17, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】基板上に形成された下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に、下地層と、反強磁性層と、第1の強磁性層と、反平行結合層と、第2の強磁性層と、絶縁障壁層と、第3の強磁性層の積層膜を有するトンネル接合型磁気抵抗効果ヘッドの製造方法において、該第2の強磁性層若しくは該第3の強磁性層の一部または全部をCo-Fe-B合金によって構成し、該第2の強磁性層及び該絶縁障壁層さらには該第3の強磁性層のCo-Fe-B合金を形成する際に該基板を冷却することによって10at%以下の低いB濃度でアモルファス構造のCo-Fe-B合金を形成し、その後、熱処理を施して該Co-Fe-B合金を結晶化することを特徴とするトンネル接合型磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。

IPC (6)：

G11B 5/39 ( 200 6.01) , H01L 43/08 ( 200 6.01) , H01L 43/10 ( 200 6.01) , H01L 43/12 ( 200 6.01) , H01F 10/16 ( 200 6.01) , H01F 41/22 ( 200 6.01)

FI (6)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 M , H01L 43/12 , H01L 43/08 Z , H01F 10/16 , H01F 41/22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

強磁性トンネル接合素子、磁気ヘッド、及び磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-328143 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-280620 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-259280 Applicant：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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Cited by examiner (5)

強磁性トンネル接合素子、磁気ヘッド、及び磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-328143 Applicant：富士通株式会社
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
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磁気抵抗効果素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-259280 Applicant：キヤノンアネルバ株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

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