Pat
J-GLOBAL ID：200903017862901920

トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法

Inventor：
三浦 聡

About 三浦 聡

, 
上杉 卓己

About 上杉 卓己


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (2)： 山本 恵一 ,  坂本 隆志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006318275
Publication number (International publication number)：2008135432
Application date： Nov. 27, 2006
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：
【課題】結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層を用いた場合に、高温のアニール処理を行うことなく、高いMR比を得ることができるTMR素子、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ及びTMR素子の製造方法を提供する。【解決手段】下側磁性層と、上側磁性層と、下側磁性層及び上側磁性層間に挟設された結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層とを備えており、下側磁性層が、第1の磁性層と、第1の磁性層及びトンネルバリア層間に挟設された第2の磁性層とを含んでおり、第2の磁性層が、Fe、コバルトCo及びニッケルNiのうちの少なくとも1つを含む磁性材料から構成されている。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
下側磁性層と、上側磁性層と、該下側磁性層及び該上側磁性層間に挟設された結晶質絶縁材料によるトンネルバリア層とを備えており、前記下側磁性層が、第1の磁性層と、該第1の磁性層及び前記トンネルバリア層間に挟設された第2の磁性層とを含んでおり、該第2の磁性層が、鉄、コバルト及びニッケルのうちの少なくとも1つを含む磁性材料から構成されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  G01R 33/09
FI (7)：
H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  G01R33/06 R
F-Term (52)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  2G017BA15 ,  2G017BA16 ,  4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC03 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BB66 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM