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J-GLOBAL ID：200903071046295153

トンネル型磁気検出素子及びその製造方法

Inventor：
五十嵐 一聡

About 五十嵐 一聡

, 
梅津 英治

About 梅津 英治

, 
田中 健一

About 田中 健一

, 
朝妻 浩太

About 朝妻 浩太


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (2)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007065657
Publication number (International publication number)：2008103662
Application date： Mar. 14, 2007
Publication date： May. 01, 2008
Summary：
【課題】 特に、絶縁障壁層をAl-Oで形成したトンネル型磁気検出素子に係り、低いRAで且つ高い抵抗変化率(ΔR/R)を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 第2固定磁性層4cは、下からCoFeBで形成されたCoFeB層4c1、及びCoFeあるいはCoで形成された界面層4c2の順に積層されてなる。前記第2固定磁性層4c上にAl-Oから成る絶縁障壁層5が形成されている。このようにCoFeB/CoFe/Al-Oの積層構造とすることで、低いRAで且つ高い抵抗変化率(ΔR/R)を得ることが出来る。さらにRAや抵抗変化率(ΔR/R)のばらつきを従来に比べて抑制できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
下から磁化方向が固定される固定磁性層、絶縁障壁層及び外部磁界に対し磁化方向が変動可能なフリー磁性層の順に積層された積層部分を有し、 前記絶縁障壁層は、Al-Oで形成され、 前記固定磁性層の少なくとも一部を構成し前記絶縁障壁層と接する障壁層側磁性層は、CoFeBで形成されたCoFeB領域と、前記CoFeB領域と前記絶縁障壁層との間に位置するCoFeあるいはCoで形成された界面領域とで構成されることを特徴とするトンネル型磁気検出素子。
IPC (8)：
H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/09
FI (7)：
H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  G01R33/06 R
F-Term (47)：
2G017AA10 ,  2G017AC01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049EB06 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB59 ,  5F092BB66 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA26
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
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