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J-GLOBAL ID:201403098187806963
マイクロミラーデバイスの製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
酒井 宏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012232269
Publication number (International publication number):2014085409
Application date: Oct. 19, 2012
Publication date: May. 12, 2014
Summary:
【課題】簡易かつ安価に製造することができるマイクロミラーデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板20の少なくとも表面に酸化シリコン膜21が形成され、酸化シリコン膜21上に平坦化したエピポリシリコン膜23を形成し、このエピポリシリコン膜23を酸化シリコン膜21に達するまで貫通エッチングし、酸化シリコン膜21上にマイクロミラーデバイス構造を形成する(f)。その後、少なくとも前記マイクロミラーデバイス構造の内部貫通部hを跨いで内部貫通部hを一時補強する一時補強シリコン部20aを残して、シリコン基板20を裏面からエッチングする(g)。その後、酸化シリコン膜21をエッチングして、一時補強シリコン部20aを除去し、マイクロミラーデバイス構造をリリースする(h)。【選択図】図2B
Claim (excerpt):
シリコン基板の少なくとも表面に酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、
前記酸化シリコン膜上に平坦化したシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、
前記シリコン膜を前記酸化シリコン膜に達するまで貫通エッチングし、前記酸化シリコン膜上にマイクロミラーデバイス構造を形成するデバイス形成工程と、
少なくとも前記マイクロミラーデバイス構造の内部貫通部を跨いで前記内部貫通部を一時補強する一時補強シリコン部を残して、前記シリコン基板を裏面からエッチングする裏面エッチング工程と、
前記酸化シリコン膜をエッチングして、前記一時補強シリコン部を除去し、マイクロミラーデバイス構造をリリースする除去工程と、
を含むことを特徴とするマイクロミラーデバイスの製造方法。
IPC (3):
G02B 26/08
, B81C 1/00
, G02B 26/10
FI (3):
G02B26/08 E
, B81C1/00
, G02B26/10 104Z
F-Term (35):
2H045AB13
, 2H045AB38
, 2H045AB81
, 2H141MA12
, 2H141MB24
, 2H141MC04
, 2H141MC07
, 2H141MC09
, 2H141MD13
, 2H141MD16
, 2H141MD20
, 2H141MD24
, 2H141MF07
, 2H141MF08
, 2H141MF21
, 2H141MF26
, 2H141MG01
, 2H141MG03
, 2H141MG04
, 2H141MZ06
, 2H141MZ16
, 2H141MZ19
, 2H141MZ25
, 3C081AA18
, 3C081BA07
, 3C081BA28
, 3C081BA44
, 3C081BA47
, 3C081BA53
, 3C081CA03
, 3C081CA14
, 3C081CA20
, 3C081CA29
, 3C081DA04
, 3C081DA45
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
封入能力を有するマイクロミラーアクチュエータ及びその製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2009-540596
Applicant:フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ
-
微細加工方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-084169
Applicant:日本電装株式会社
-
マイクロマシンの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2008-326264
Applicant:トヨタ自動車株式会社
-
パッケージドデバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-003151
Applicant:富士通株式会社
-
マイクロ構造体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-310314
Applicant:富士通株式会社, 富士通メディアデバイス株式会社
-
半導体構造及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-015980
Applicant:松下電工株式会社
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