Pat
J-GLOBAL ID：201403098187806963

マイクロミラーデバイスの製造方法

Inventor：
田中 秀治

About 田中 秀治

, 
鈴木 裕輝夫

About 鈴木 裕輝夫

, 
江刺 正喜

About 江刺 正喜

, 
戸津 健太郎

About 戸津 健太郎


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東北大学

About 国立大学法人東北大学


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012232269
Publication number (International publication number)：2014085409
Application date： Oct. 19, 2012
Publication date： May. 12, 2014
Summary：
【課題】簡易かつ安価に製造することができるマイクロミラーデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板20の少なくとも表面に酸化シリコン膜21が形成され、酸化シリコン膜21上に平坦化したエピポリシリコン膜23を形成し、このエピポリシリコン膜23を酸化シリコン膜21に達するまで貫通エッチングし、酸化シリコン膜21上にマイクロミラーデバイス構造を形成する(f)。その後、少なくとも前記マイクロミラーデバイス構造の内部貫通部hを跨いで内部貫通部hを一時補強する一時補強シリコン部20aを残して、シリコン基板20を裏面からエッチングする(g)。その後、酸化シリコン膜21をエッチングして、一時補強シリコン部20aを除去し、マイクロミラーデバイス構造をリリースする(h)。【選択図】図2B
Claim (excerpt)：
シリコン基板の少なくとも表面に酸化シリコン膜を形成する酸化シリコン膜形成工程と、 前記酸化シリコン膜上に平坦化したシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、 前記シリコン膜を前記酸化シリコン膜に達するまで貫通エッチングし、前記酸化シリコン膜上にマイクロミラーデバイス構造を形成するデバイス形成工程と、 少なくとも前記マイクロミラーデバイス構造の内部貫通部を跨いで前記内部貫通部を一時補強する一時補強シリコン部を残して、前記シリコン基板を裏面からエッチングする裏面エッチング工程と、 前記酸化シリコン膜をエッチングして、前記一時補強シリコン部を除去し、マイクロミラーデバイス構造をリリースする除去工程と、 を含むことを特徴とするマイクロミラーデバイスの製造方法。
IPC (3)：
G02B 26/08 ,  B81C 1/00 ,  G02B 26/10
FI (3)：
G02B26/08 E ,  B81C1/00 ,  G02B26/10 104Z
F-Term (35)：
2H045AB13 ,  2H045AB38 ,  2H045AB81 ,  2H141MA12 ,  2H141MB24 ,  2H141MC04 ,  2H141MC07 ,  2H141MC09 ,  2H141MD13 ,  2H141MD16 ,  2H141MD20 ,  2H141MD24 ,  2H141MF07 ,  2H141MF08 ,  2H141MF21 ,  2H141MF26 ,  2H141MG01 ,  2H141MG03 ,  2H141MG04 ,  2H141MZ06 ,  2H141MZ16 ,  2H141MZ19 ,  2H141MZ25 ,  3C081AA18 ,  3C081BA07 ,  3C081BA28 ,  3C081BA44 ,  3C081BA47 ,  3C081BA53 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA20 ,  3C081CA29 ,  3C081DA04 ,  3C081DA45
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM