Art

J-GLOBAL ID：201502215450421150   Reference number：15A0877814

Silicon nanowire growth on Si and SiO₂ substrates by rf magnetron sputtering in Ar/H₂

Ar/H₂のrfマグネトロンスパッタによるSiとSiO₂基板上のシリコンナノワイヤの成長

Author (6)： YAMADA Ikumi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIRANO Yutaro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHIMURA Kenkichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAO Yoshinori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ERIGUCHI Koji (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ONO Kouichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 8  Issue： 6  Page： 066201.1-066201.4  Publication year： Jun. 2015 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanowire ,  *silicon ,  *sputtered deposition ,  *magnetron sputtering ,  mixed gas ,  argon ,  hydrogen ,  substrate(plate) ,  silicon dioxide ,  oxidized layer ,  transition metal catalyst ,  metallic thin film ,  polycrystal ,  crystal growth ,  orientation(direction) ,  X-ray diffraction ,  scanning electron microscope ,  electron microscopy
Semi thesaurus term： *RF magnetron sputtering ,  *silicon nanowire ,  random orientation ,  Au catalyst ,  半導体ナノワイヤ

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (28)：

• H. J. Fan, P. Werner, and M. Zacharias, Small 2, 700 (2006).
• S. A. Fortuna and X. Li, Semicond. Sci. Technol. 25, 024005 (2010).
• K. Ostrikov, E. C. Neyts, and M. Meyyappan, Adv. Phys. 62, 113 (2013).
• V. Schmidt, J. V. Wittemann, S. Senz, and U. Gösele, Adv. Mater. 21, 2681 (2009).
• R. Rurali, Rev. Mod. Phys. 82, 427 (2010).

Terms in the title (8)： Ar ,  H2 ,  RF ,  マグネトロンスパッタ ,  Si ,  SiO2 ,  シリコンナノワイヤ ,  成長