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J-GLOBAL ID：201502221093811484   Reference number：15A0921830

Optical and Electrical Device Application of Gallium Oxide Single Crystal

機能性単結晶の最近の進展 酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用

Author (14)： KURAMATA AKITO (タムラ製作所) ,  IIZUKA KAZUYUKI (タムラ製作所) ,  SASAKI KOHEI (タムラ製作所) ,  KOSHI KIMIAKI (タムラ製作所) ,  MASUI TAKEKAZU (タムラ製作所) ,  MORISHIMA YOSHIKATSU (タムラ製作所) ,  GOTO KEN (タムラ製作所) ,  KUMAGAI YOSHINAO (東京農工大) ,  MURAKAMI HISASHI (東京農工大) ,  KOKITSU AKINORI (東京農工大) ,  WONG Man Hoi (情報通信研究機構) ,  KAMIMURA TAKAFUMI (情報通信研究機構) ,  HIGASHIWAKI MASATAKA (情報通信研究機構) ,  YAMAKOSHI SHIGENOBU (タムラ製作所)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 42  Issue： 2  Page： 130-140  Publication year： Jul. 2015 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium oxide ,  *crystal growth ,  MOCVD ,  *gallium nitride ,  *light emitting diode ,  semiconductor device ,  MBE growth ,  *epitaxy ,  doping ,  *Schottky barrier diode ,  *MOSFET ,  crystallinity ,  lifetime ,  growth rate ,  vapor phase growth ,  substrate(plate) ,  semiconductor thin film ,  compound semiconductor
Semi thesaurus term： *HVPE(epitaxy) ,  directional dependency

JST classification (6)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I) ,  Diodes  (NC03050R) ,  Light emitting devices  (NC03082G) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (40)：

• H.H. Tippins: Phys. Rev., 140 (1965) A316
• N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, and H. Kawazoe: Appl. Phys. Lett., 71 (1997) 933
• T. Onuma, S. Fujioka, T. Yamaguchi, M. Higashiwaki, S. Sasaki, T. Masui, and T. Honda: Appl. Phys. Lett., 103 (2013) 041910
• R. Roy, V.G. Hill, and E.F Osborn: J. Am. Chem. Soc., 74 (1952) 719
• E.G. Villora, K. Shimamura, Y. Yoshikawa, T. Ujiie, and K. Aoki: Appl. Phys. Lett., 92 (2008) 202120

Terms in the title (6)： 機能性単結晶 ,  進展 ,  酸化ガリウム ,  単結晶 ,  電子デバイス ,  応用