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J-GLOBAL ID：201502260392482998   Reference number：15A0192709

Surface charging effects in AlGaN/GaN HEMTs induced by off-stress bias

AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の表面帯電の影響

Author (2)： NISHIGUCHI KEN'YA (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  HASHIZUME TAMOTSU (北大 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究セ)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 336(ED2014 73-97)  Page： 91-95  Publication year： Nov. 20, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  *gallium nitride ,  *electrification(static charge) ,  *surface charge ,  *HEMT ,  high voltage ,  *current-voltage characteristic ,  reliability(property) ,  gate(semiconductor) ,  drain(semiconductor)
Semi thesaurus term： *AlGaN ,  GAN ,  surface charging ,  current collapse ,  dual gate

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (9)：

• U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y. -F. Wu, ”GaN-based RF power devices and amplifiers.” Proceedings of the IEEE, 96, 2, pp.287-305, February (2008).
• R. Vetury, N. Q. Zhan, S. Keller, and U. K. Mishra, ”The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HFETs.” Electron Devices, IEEE Transactions on, 48, 3, pp.560-566, March (2001).
• R. J. Trew, D. S. Green, and J. B. Shealy,
• ”AlGaN/GaN HFET Reliability.” IEEE Microwave Mag. 10[4], pp.116-127, June (2009).
• J. Kotani, M. Tajima, S. Kasai, and T. Hashizume, ”Mechanism of surface conduction in the vicinity of Schottky gates on AlGaN/GaN heterostructures.” Appl. Phys. Lett. 91. 9, pp.093501-093501-3, (2007).

Terms in the title (4)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  表面帯電