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J-GLOBAL ID：201503003107765410

リフトオフ方法

Inventor：
森數 洋司

About 森數 洋司

, 
小柳 将

About 小柳 将

, 
田畑 晋

About 田畑 晋


Applicant, Patent owner：
株式会社ディスコ

About 株式会社ディスコ


Agent (3)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子 ,  増田 さやか
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014016939
Publication number (International publication number)：2015144192
Application date： Jan. 31, 2014
Publication date： Aug. 06, 2015
Summary：
【課題】光デバイスの品質を低下させることなくエピタキシー基板を確実に剥離することができるリフトオフ方法を提供する。【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合剤を介して移設基板を接合して複合基板を形成する複合基板形成工程と、複合基板のエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、バッファー層破壊工程が実施された複合基板のエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程とを含み、バッファー層破壊工程は、複合基板を加熱してエピタキシー基板と移設基板とに生ずるスプリングバックを緩和させてレーザー光線をバッファー層に照射する。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、 光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合剤を介して移設基板を接合して複合基板を形成する複合基板形成工程と、 複合基板のエピタキシー基板の裏面側からバッファー層にエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊工程と、 該バッファー層破壊工程が実施された複合基板のエピタキシー基板を剥離し、光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設工程と、を含み、 該バッファー層破壊工程は、複合基板を加熱してエピタキシー基板と移設基板とに生ずるスプリングバックを緩和させてレーザー光線をバッファー層に照射する、 ことを特徴とするリフトオフ方法。
IPC (4)：
H01L 33/32 ,  B23K 26/57 ,  C30B 33/08 ,  C30B 33/06
FI (4)：
H01L33/00 186 ,  B23K26/57 ,  C30B33/08 ,  C30B33/06
F-Term (34)：
4E168AD00 ,  4E168AE05 ,  4E168CA06 ,  4E168CB07 ,  4E168CB15 ,  4E168DA05 ,  4E168DA24 ,  4E168DA32 ,  4E168DA37 ,  4E168DA45 ,  4E168HA00 ,  4E168HA01 ,  4E168JA13 ,  4E168JA28 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077ED06 ,  4G077FE11 ,  4G077FF02 ,  4G077FG17 ,  4G077FH08 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F141AA40 ,  5F141CA02 ,  5F141CA22 ,  5F141CA40 ,  5F141CA77 ,  5F241AA40 ,  5F241CA02 ,  5F241CA22 ,  5F241CA40 ,  5F241CA77
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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