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J-GLOBAL ID：201503003786421759
グラフェン素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (4)：
阿部 達彦
, 実広 信哉
, 崔 允辰
, 木内 敬二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015075897
Publication number (International publication number)：2015156500
Application date： Apr. 02, 2015
Publication date： Aug. 27, 2015
Summary：
【課題】グラフェン素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】埋込みゲート(embedded gate)上に形成された上部酸化膜と、該上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び電極と、を含み、基板上に1つまたは離隔された複数の埋込みゲートが備えられ、グラフェンチャネルと電極は、順次に積層されるか、その逆順に積層されうるグラフェン素子である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、
前記基板上に形成された少なくとも1つの埋込みゲート(embedded gate)と、
前記少なくとも1つの埋込みゲート上に形成された上部酸化膜と、
前記上部酸化膜上に備えられたグラフェンチャネル及び複数の電極と、を含むグラフェン素子。
IPC (6)：
H01L 29/786
, C01B 31/02
, H01L 29/06
, H01L 51/05
, H01L 51/30
, H01L 51/40
H01L29/78 618B
, C01B31/02 101Z
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 617N
, H01L29/06 601N
, H01L29/28 100A
, H01L29/28 250E
, H01L29/28 310E
Cited by examiner (8)
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Article cited by the Patent：
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