ドライエッチング装置及びプラズマスパッタリング装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：松尾憲一郎 , 市川泰央
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014006507
Publication number (International publication number)：2015135883
Application date： Jan. 17, 2014
Publication date： Jul. 27, 2015
Summary：

【課題】低圧でのプラズマエッチングを行うドライエッチング装置におけるエッチング速度の改善と、低圧でのプラズマスパッタリングを行うプラズマスパッタリング装置におけるスパッタリング速度の改善と、の少なくとも一方を実現する。【解決手段】真空チャンバ10と、真空チャンバ10内に電磁場励起プラズマを発生させるプラズマ発生部11と、プラズマ発生部11が生起する磁場と垂直に鎖交するステージ40と、を備え、ステージ40は、ステージ40上の試料Sが磁場により輸送される電磁場励起プラズマ中に発生する電磁波の腹又は節に位置するように、真空チャンバ10内に配設されたドライエッチング装置100。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

真空チャンバと、前記真空チャンバ内に電磁場励起プラズマを発生させるプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部において生起する磁場及び電場と垂直に台面が交差する試料支持台と、を備え、前記試料支持台は、前記試料支持台に載置される試料が前記電磁場励起プラズマの電磁波の腹又は節の位置となるように前記真空チャンバ内に配設されていることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/306 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L21/302 101C , H05H1/46 L , H05H1/46 Z

F-Term (12)：

5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB25 , 5F004BB26 , 5F004CA06 , 5F004DA23 , 5F004DB01 , 5F004DB10 , 5F004EB01 , 5F004EB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

プラズマを用いた基体処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237048 Applicant：株式会社東芝
プラズマ発生方法およびプラズマ発生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-233274 Applicant：三菱重工業株式会社
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-128495 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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