Pat
J-GLOBAL ID：200903068639239801

高周波プラズマ装置

Inventor：
篠原 俊二郎

About 篠原 俊二郎

, 
谷川 隆夫

About 谷川 隆夫


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (2)： 平山 一幸 ,  海津 保三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004107167
Publication number (International publication number)：2004363090
Application date： Mar. 31, 2004
Publication date： Dec. 24, 2004
Summary：
【課題】 プラズマの大型化や径方向のプラズマ密度分布を制御できる高周波プラズマ装置を提供する。【解決手段】 高周波プラズマ10となるガスが導入される反応室1と、該反応室1の外部に設けられ磁場を印加する磁石3と、反応室1の端部に設けられるプラズマ発生用アンテナ4と、アンテナ4へ高周波電力を印加する高周波発振器5と、から成る高周波プラズマ装置であって、磁石3により反応室1に形成される磁場3が一様磁場、発散磁場、収束磁場、カスプ磁場のいずれかまたはまたは該磁場のいずれか二種以上の組み合わせから成る。大きな容積でプラズマ密度が高く、径方向のプラズマ密度分布がよく、かつ、制御可能な高周波プラズマ装置を実現できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
高周波プラズマとなるガスが導入される反応室と、該反応室の外部に設けられ磁場を印加する磁石と、上記反応室の端部に設けられるプラズマ発生用アンテナと、該アンテナへ高周波電力を印加する高周波発振器と、から成る高周波プラズマ装置であって、 上記磁石により上記反応室内に形成される磁場が、一様磁場、発散磁場、収束磁場、カスプ磁場のいずれかまたは該磁場のいずれか二種以上の組み合わせから成ることを特徴とする、高周波プラズマ装置。
IPC (4)：
H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065
FI (5)：
H05H1/46 L ,  H05H1/46 R ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 101C
F-Term (11)：
4K030FA04 ,  4K030JA18 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA34 ,  5C030DD01 ,  5C030DE07 ,  5C030DE08 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004CA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-114754   Applicant：株式会社プラズマシステム
Cited by examiner (16)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM