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J-GLOBAL ID：201602256396578358   Reference number：16A0726473

Realization of conductive AlN epitaxial layer on Si substrate using spontaneously formed nano-size via-holes for vertical AlGaN high power FET

垂直AlGaN高出力FETのための自発的に形成されたナノサイズバイアホールを用いたSi基板上への導電性AlNエピタキシャル層の実現【Powered by NICT】

Author (6)： Kurose Noriko (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan) ,  Ozeki Kota (Faculty of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan) ,  Araki Tsutomu (Faculty of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan) ,  Iwata Naotaka (Faculty of Engineering, Toyota Technological Institute, Japan) ,  Kamiya Itaru (Faculty of Engineering, Toyota Technological Institute, Japan) ,  Aoyagi Yoshinobu (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： If vertical AlGaN FET on Si su...

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Thesaurus term： *via hole ,  silicon carbide ,  buffer layer ,  *conductive property ,  *gallium nitride ,  *aluminum nitride ,  response characteristic ,  band gap ,  insulating material ,  insulator ,  breakdown voltage ,  *epitaxial layer ,  *Si wafer ,  *high power output ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： メルトバック , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (1)： Graphic and image processing in general  (JE04010I)

Terms in the title (8)： 垂直 ,  AlGaN ,  高出力 ,  FET ,  Si基板 ,  導電性 ,  AlN ,  エピタキシャル層