薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：栗原浩之 , 山▲崎▼ 雄一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014189384
Publication number (International publication number)：2016063053
Application date： Sep. 17, 2014
Publication date： Apr. 25, 2016
Summary：

【課題】バイアスストレス安定性が高く、酸素欠陥による状態密度の低い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁層4と、インジウムを含有する金属酸化物半導体層7と、バッファ層8と、ヒドロキシル基を繰り返し単位に含むポリマー及び溶媒を含む保護層形成組成物を塗布し形成した保護層9と、からなる積層体を有する薄膜トランジスタにおいて、該金属酸化物半導体層7を完全に覆うように該バッファ層8を形成し、次いで、該保護層9を形成することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁層と、インジウムを含有する金属酸化物半導体層と、バッファ層と、ヒドロキシル基を繰り返し単位に含むポリマー及び溶媒を含む保護層形成組成物を塗布し形成した保護層と、からなる積層体を有する薄膜トランジスタにおいて、該金属酸化物半導体層を完全に覆うように該バッファ層を形成し、次いで、該保護層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/312 , H01L 21/368 , H01L 21/47

FI (5)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L21/312 A , H01L21/368 Z , H01L21/47

F-Term (48)：

5F053AA06 , 5F053DD20 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053HH05 , 5F053RR04 , 5F058AC05 , 5F058AD01 , 5F058AF04 , 5F058AF06 , 5F058AG01 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN40 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-126320 Applicant：凸版印刷株式会社
薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-012419 Applicant：凸版印刷株式会社
酸化物薄膜トランジスタ、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-225510 Applicant：ブラザー工業株式会社

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