薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008012419
Publication number (International publication number)：2008205451
Application date： Jan. 23, 2008
Publication date： Sep. 04, 2008
Summary：

【課題】本発明は、クシ型電極を用いた薄膜トランジスタのフィードスルーを低減しつつ、電極の電気抵抗の増大や作製の難しさを改善した薄膜トランジスタアレイを提供することを課題とする。【解決手段】ソース・ドレイン電極をクシ型とし、ドレイン電極の幅をソース電極の幅より細くし、ドレイン電極あるいはソース・ドレイン電極の根元をテーパー状にすることにより、電気抵抗の増大を抑制し、かつ歩留まりを向上した薄膜トランジスタアレイ。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、少なくともゲート配線に接続されたゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース配線に接続されたソース電極と、画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン間に形成された半導体層とを有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイであって、前記ソース電極と前記ドレイン電極がクシ型であり、且つ前記ドレイン電極の幅が前記ソース電極の幅より小さいことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , G09F 9/33

FI (7)：

H01L29/78 616T , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K , H01L29/28 100A , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , G09F9/33 Z

F-Term (91)：

4M104AA03 , 4M104AA06 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104FF11 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH13 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5C094AA21 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094CA19 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094FA02 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F110AA02 , 5F110AA03 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110AA17 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

液晶表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-018805 Applicant：カシオ計算機株式会社
TFTシートおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-070359 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-163319 Applicant：三星エスディアイ株式会社

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