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J-GLOBAL ID：201603001979198806

半導体デバイス及びその製造方法

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Inventor： 東雲 秀司 ,  森嶋 雅人 ,  大内 健次 ,  加藤 大輝 ,  渡部 平司 ,  志村 考功 ,  細井 卓治
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (2)： 別役 重尚 ,  村松 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014136918
Publication number (International publication number)：2016015407
Application date： Jul. 02, 2014
Publication date： Jan. 28, 2016
Summary：

【課題】チャネルの移動度を十分に改善することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】ウエハWにおける炭化硅素基部11の表層を、四フッ化硅素ガスからプラズマによって解離したフッ素を含むハロゲン雰囲気に暴露し、該暴露された表層の上にゲート絶縁膜15を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

炭化硅素からなる基板の表層をハロゲン雰囲気に暴露し、該暴露された表層の上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5)：

H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B

F-Term (22)：

5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA05 ,  5F140BA02 ,  5F140BD01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD17 ,  5F140BE01 ,  5F140BE10