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J-GLOBAL ID：201603002908464749
トランジスタ用酸化物半導体膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012066257
Publication number (International publication number)：2013197539
Patent number：6028961
Application date： Mar. 22, 2012
Publication date： Sep. 30, 2013
Claim (excerpt)：
【請求項1】 以下の工程1)及び2):
1)基板上に形成された、酸化物半導体の前駆体薄膜であって、In、Sn、Zn、Ga及びMgからなる群より選択される1種以上の金属の金属錯体を含む前記前駆体薄膜に、環境温度75〜150°Cで紫外線を照射する、紫外線照射工程、及び、
2)紫外線照射された前記前駆体薄膜を、高周波印加装置内において、前記高周波印加装置の備える電極間に発生する電界の電気力線に対して平行に配置し、高周波電界が前記前駆体薄膜に集中する条件で、前記前駆体薄膜表面の温度を300°C以下で酸化物半導体膜を形成できる温度以上に維持しながら、プラズマを発生させて、前記前駆体薄膜から酸化物半導体膜を形成させる、半導体膜形成工程、
を含む、トランジスタ用酸化物半導体膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/368 ( 200 6.01)
, C01G 15/00 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 21/368 Z
, C01G 15/00 Z
Cited by applicant (7)
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-271622
Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-192915
Applicant：松下電器産業株式会社
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特開平2-090521
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Cited by examiner (7)
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2008-271622
Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
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プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平7-192915
Applicant：松下電器産業株式会社
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特開平2-090521
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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