半導体試験装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014192174
Publication number (International publication number)：2016061751
Application date： Sep. 22, 2014
Publication date： Apr. 25, 2016
Summary：

【課題】試験対象の半導体デバイスに悪影響を与えることなく、通電処理の初期段階から半導体デバイスの電極との良好な電気的接触を保つことができる半導体試験装置を得る。【解決手段】半導体基板70の表面上に表面電極72が形成され、表面電極72における外周領域である電極上ポリイミド形成領域R12上に保護膜であるポリイミド層71が形成され、ポリイミド層71は表面電極72が形成されていない半導体基板70の外周領域である半導体デバイス外周領域S2上に延びて形成される。積層金属箔20Aは平面形状が表面電極72の相似形で、平面視してポリイミド層71が形成されていない表面電極露出領域S1内に収まる形状を有している。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

一方主面及び他方主面上に一方電極及び他方電極を有する半導体デバイスにおける一方電極,他方電極間に電流を流して前記半導体デバイスを試験する半導体試験装置であって、前記半導体デバイスの他方電極に電気的に接続しつつ前記半導体デバイスを載置し、導電性及び冷却機能を有する冷却板と、前記半導体デバイスの一方電極上に設けられた金属箔と、前記半導体デバイスの一方主面の上方に配置され、一方主面と対向する加圧面を有し、導電性を具備する加圧部と、動作時において、前記半導体デバイスの一方主面に向かう第1の方向に前記加圧部を加圧する加圧処理を実行する加圧機構と、前記冷却板と前記加圧部との間に直流電流を流す通電処理を実行する電流供給部とを備え、前記半導体デバイスは、一方電極の外周領域上に形成される保護膜をさらに有し、一方電極の表面領域において前記保護膜が形成されない領域が電極露出領域として規定され、前記金属箔の縁部領域における少なくとも一部領域が前記電極露出領域上に配置されることを特徴する、半導体試験装置。

IPC (1)：

G01R 31/26

FI (1)：

G01R31/26 J

F-Term (9)：

2G003AA00 , 2G003AB01 , 2G003AD03 , 2G003AD09 , 2G003AE01 , 2G003AG12 , 2G003AG16 , 2G003AH05 , 2G003AH07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

素子試験装置及び素子試験方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-303499 Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
プローブ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-033525 Applicant：東京エレクトロン株式会社
半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-239841 Applicant：三菱電機株式会社

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