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J-GLOBAL ID：201603006455219360

接合構造体、及び、接合構造体の製造方法

Inventor： 菅沼 克昭 ,  長尾 至成 ,  呉 哲ミン
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 前井 宏之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014248918
Publication number (International publication number)：2016111259
Application date： Dec. 09, 2014
Publication date： Jun. 20, 2016
Summary：

【課題】低温環境下でも良好に接合され得る接合構造体を提供する。【解決手段】本発明の接合構造体(100)は、半導体素子(110)と、金属膜(120)と、配線(130)とを備える。金属膜(120)は、半導体素子(110)と配線(130)とを接合している。金属膜(120)を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子と、 配線と、 前記半導体素子と前記配線とを接合する金属膜と を備える接合構造体であって、 前記金属膜を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散している、接合構造体。

IPC (3)：

H01L 21/60 ,  B23K 20/00 ,  H05K 1/09

FI (4)：

H01L21/60 321E ,  B23K20/00 310L ,  B23K20/00 310M ,  H05K1/09 A

F-Term (35)：

4E167AA02 ,  4E167AA08 ,  4E167AA09 ,  4E167AA18 ,  4E167AA19 ,  4E167AA20 ,  4E167AA21 ,  4E167AA29 ,  4E167AB01 ,  4E167AB03 ,  4E167AB04 ,  4E167AB05 ,  4E167AB06 ,  4E167AC00 ,  4E167AD01 ,  4E167AD09 ,  4E167AD10 ,  4E167BA05 ,  4E167BA16 ,  4E167BA17 ,  4E167CB01 ,  4E167CB03 ,  4E167CB04 ,  4E167DA05 ,  4E351AA06 ,  4E351BB33 ,  4E351CC03 ,  4E351CC06 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD08 ,  4E351DD10 ,  4E351DD19 ,  4E351DD21 ,  4E351GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-150214   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 半導体装置の実装構造及び半導体装置の実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-076410   Applicant：株式会社東芝
• 特許第6284164号
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ストレスマイグレーションによるAgヒロック生成に及ぼす保護膜の影響