選択的波長赤外吸収体を有する焦電性窒化アルミニウムMEMS赤外センサ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：大菅義之 , 大菅内外国特許事務所特許業務法人
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2016531910
Publication number (International publication number)：2016528498
Application date： Jul. 31, 2014
Publication date： Sep. 15, 2016
Summary：

特定の周波数範囲の電磁波を検出するMEMSセンサが提供される。好適な実施形態においては、MEMSセンサは、下部基板層と;基板層上に渡った第1の電極層と;第1の電極層上に渡った焦電性層と;焦電性層上に渡った第2の電極層と、を含み、上部電極層は、目的の赤外波長以下の周期を有する周期構造でパターン化されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板層と、前記基板層に隣接した第1の電極層と、前記第1の電極層に隣接した焦電性層と、前記焦電性層に隣接した第2の電極層と、を備え、前記第2の電極層が、8μm以下の周期を有する周期構造でパターン化されている、MEMSセンサ。

IPC (5)：

G01J 1/02 , G01J 1/04 , B81B 1/00 , B81C 1/00 , H01L 27/144

FI (5)：

G01J1/02 Y , G01J1/04 B , B81B1/00 , B81C1/00 , H01L27/14 K

F-Term (24)：

2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065BA13 , 2G065BB25 , 2G065BB37 , 2G065CA15 , 2G065DA07 , 2G065DA08 , 3C081AA13 , 3C081BA22 , 3C081CA02 , 3C081CA14 , 3C081CA15 , 3C081CA28 , 3C081CA29 , 3C081DA03 , 3C081DA27 , 3C081DA29 , 3C081EA04 , 4M118BA06 , 4M118CA16 , 4M118CB12 , 4M118CB14 , 4M118GA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

光センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-184645 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
赤外線センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-259644 Applicant：株式会社村田製作所
経時温度変化の変換を行うトランスデューサ、このトランスデューサを組み込んである電子チップ、およびこの電子チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-103397 Applicant：コミサリアアレネルジアトミクエオウエネルジアルタナティヴ

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