論理回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 諏澤勇司
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011232085
Publication number (International publication number)：2013089916
Patent number：5835771
Application date： Oct. 21, 2011
Publication date： May. 13, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】バイアス電源とグラウンドとの間で直列に接続され、それぞれのゲート端子に入力電圧が印加される第1及び第2の電界効果トランジスタを備える論理回路であって、前記第1及び第2の電界効果トランジスタのうちの少なくとも1つは、前記ゲート端子が接続されるゲート電極膜と、半導体材料からなるチャネル層と、前記ゲート電極膜と前記チャネル層との間に配置され、電荷を蓄積及び放出する電荷蓄積構造を含む電荷蓄積層と、を有し、前記バイアス電源、前記グラウンド、及び前記ゲート端子の少なくとも1つには、雑音源が接続されている、ことを特徴とする論理回路。

IPC (13)：

H01L 27/095 ( 200 6.01) , H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/788 ( 200 6.01) , H01L 29/792 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 21/8238 ( 200 6.01) , H01L 27/092 ( 200 6.01) , H01L 21/8232 ( 200 6.01) , H01L 27/06 ( 200 6.01) , H03K 19/0952 ( 200 6.01)

FI (7)：

H01L 29/80 E , H01L 29/80 H , H01L 29/78 371 , H01L 29/78 301 J , H01L 27/08 321 C , H01L 27/06 F , H03K 19/094 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-034946 Applicant：サンケン電気株式会社
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-059730 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体記憶装置,その製造方法及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-172335 Applicant：松下電器産業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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