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J-GLOBAL ID：200903058270134312

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
秋元 健吾

About 秋元 健吾


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008059730
Publication number (International publication number)：2008263181
Application date： Mar. 10, 2008
Publication date： Oct. 30, 2008
Summary：
【課題】シリサイド領域を形成し、かつ、チャネル形成領域の金属元素濃度増大を防ぎ、記憶素子の信頼性を向上させることを課題とする。【解決手段】ソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域の間に設けられたチャネル形成領域を有する半導体層と、前記半導体層上に、第1の絶縁層、第1のゲート電極、第2の絶縁層、第2のゲート電極が順次重ね合わせて設けられ、前記ソース領域及びドレイン領域は、その一部又は全てがニッケルシリサイド層で形成され、前記第1のゲート電極は、絶縁膜で周囲が覆われていると共に、希ガス元素を含む不揮発性半導体記憶装置に関する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及びドレイン領域の間に設けられたチャネル形成領域を有する半導体層と、 前記半導体層上に、第1の絶縁層、第1のゲート電極、第2の絶縁層、第2のゲート電極が順次重ね合わせて設けられ、 前記ソース領域及びドレイン領域は、その一部又は全てがシリサイド層で形成され、 前記第1のゲート電極は、絶縁膜で周囲が覆われていると共に、希ガス元素を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434
F-Term (46)：
5F083EP02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP06 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR06 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F101BA19 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD37 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03 ,  5F101BH09 ,  5F101BH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体装置及びその作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-154865   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-168061   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
Cited by examiner (6)
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