半導体集積回路

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006301931
Publication number (International publication number)：2008118047
Application date： Nov. 07, 2006
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】信頼性高く不揮発記憶を書き込めるようにする。非記憶と不揮発記憶の両方、一時記憶(揮発記憶)と不揮発記憶の両方を一つの回路で行い得るようにする。【解決手段】前段回路の情報を状態検地強調回路Aを介して本段回路に書き込む。制御信号V selectがL、即ち/V selectがHの時、回路Aでは小電圧のVcc0とVss0が選択され、これが前段回路に印加される。この時、本段回路のn-Tr2のゲート-p型基板端子間には0V以上Vcc0-Vss0以下の電位しか印加されないのでオフとオンの判別が可能な程度にチャネル抵抗は変化するが十分な不揮発記憶書き込みを行うほどではない。V selectがH、即ち/V selectがLに変わると、回路Aでは大電圧のVcc3とVss3が選択され、これが前段回路に印加される。V selectがHになる直前のVnの論理がHならば、n-Tr2には不揮発オン状態の書込が行われ、p-Tr2には不揮発オフ状態の書込が行われる。【選択図】図9A

Claim (excerpt)：

入力端子と出力端子を備えて前記入力端子に入力された電位を元に不揮発記憶の可能な不揮発記憶回路に不揮発記憶を書き込むことのできる大きさの電位を発生して前記出力端子に出力する機能を持つ状態検知強調回路の前記出力端子を、前記不揮発記憶回路の入力端子に接続したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (10)：

H01L 27/10 , G11C 11/22 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H03K 19/00

FI (9)：

H01L27/10 461 , G11C11/22 503 , H01L27/10 481 , H01L27/10 444A , H01L27/10 447 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/08 321D , H03K19/00 Z

F-Term (49)：

4M119AA01 , 4M119AA02 , 4M119BB12 , 4M119GG01 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 4M119HH07 , 4M119KK02 , 4M119KK04 , 4M119KK05 , 4M119KK06 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BB11 , 5F048BE09 , 5F083BS14 , 5F083BS26 , 5F083BS50 , 5F083EP02 , 5F083EP17 , 5F083EP32 , 5F083FR06 , 5F083FR07 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA25 , 5F083ZA13 , 5F101BA01 , 5F101BA41 , 5F101BA62 , 5F101BA68 , 5F101BD24 , 5F101BD33 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5J056AA00 , 5J056AA03 , 5J056BB58 , 5J056CC14 , 5J056DD12 , 5J056EE04 , 5J056GG09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

不揮発性記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-045790 Applicant：ローム株式会社
信号保持回路、半導体装置、ゲートアレイおよびICカード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-315278 Applicant：ローム株式会社
強誘電体を用いた順序回路およびこれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-247991 Applicant：ローム株式会社

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Cited by examiner (10)

電圧レベル変換回路及びこれを用いた半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-342573 Applicant：株式会社東芝
電圧レベルシフタ回路およびそれを用いた不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-173516 Applicant：シャープ株式会社
レベル変換回路およびレベル変換回路を含む不揮発性半導体メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-314763 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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