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J-GLOBAL ID：201603017336663408

光伝導素子、テラヘルツ波発生装置、テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波発生方法およびテラヘルツ波検出方法

Inventor：
溝口 幸司

About 溝口 幸司


Applicant, Patent owner：
公立大学法人大阪府立大学

About 公立大学法人大阪府立大学


Agent (1)： 特許業務法人深見特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014247837
Publication number (International publication number)：2016111219
Application date： Dec. 08, 2014
Publication date： Jun. 20, 2016
Summary：
【課題】より簡便に製造可能な、テラヘルツ波を発するまたは検出するための光伝導素子を提供する。【解決手段】光伝導素子1は、アンチモン(Sb)およびビスマス(Bi)のうちの少なくとも1種と、セレン(Se)およびテルル(Te)のうちの少なくとも1種とを含むトポロジカル絶縁体薄膜11を備える。これにより、光伝導素子の安価な製造が可能となる。光伝導素子1は、さらに、電極11,12を含むアンテナ構造体ANTを備える。電極11,12は、トポロジカル絶縁体薄膜11の面方向に沿って対向して配置される。光伝導素子1は、トポロジカル絶縁体薄膜11への光(フェムト秒パルス光91)の入射によって生じるキャリアを用いて、テラヘルツ波を発生させる(または検出する)ことができる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
テラヘルツ波を発生または検出するための光伝導素子であって、 アンチモン(Sb)およびビスマス(Bi)のうちの少なくとも1種と、セレン(Se)およびテルル(Te)のうちの少なくとも1種とを含むトポロジカル絶縁体薄膜と、 前記トポロジカル絶縁体薄膜の面方向に沿って、対向して配置された第1および第2の電極を含むアンテナ構造体とを備える、光伝導素子。
IPC (4)：
H01S 1/02 ,  H01S 3/00 ,  G01J 1/02 ,  G01N 21/358
FI (6)：
H01S1/02 ,  H01S3/00 A ,  G01J1/02 R ,  G01J1/02 Q ,  G01J1/02 C ,  G01N21/3581
F-Term (20)：
2G059AA05 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059GG09 ,  2G059HH05 ,  2G059KK04 ,  2G059KK10 ,  2G065AA04 ,  2G065AB01 ,  2G065AB03 ,  2G065BA34 ,  2G065BA40 ,  2G065BC04 ,  2G065DA08 ,  2G065DA13 ,  5F172AE06 ,  5F172AF07 ,  5F172AM08 ,  5F172NN17 ,  5F172ZZ13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • “THz-emission probe of surface-electronic transitions in a topological insulator”
Cited by examiner (1)
  • “THz-emission probe of surface-electronic transitions in a topological insulator”

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