結晶性酸化物半導体膜、半導体装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015035938
Publication number (International publication number)：2016157878
Application date： Feb. 25, 2015
Publication date： Sep. 01, 2016
Summary：

【課題】回転ドメインと反りが低減された結晶性酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】ミストを用いて、基体上に、第1の層と、第1の層とは異なる材料を主成分とする第2の層とが、少なくとも1層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有するバッファ層を介して、コランダム構造を有し、かつアルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる1種または2種以上を少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む、膜中の回転ドメインの含有率が0.02体積%以下の結晶性酸化物半導体膜を形成する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

コランダム構造を有し、かつアルミニウム、ガリウムおよびインジウムからなる1種または2種以上を少なくとも含有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性酸化物半導体膜であって、膜中の回転ドメインの含有率が0.02体積%以下であることを特徴とする結晶性酸化物半導体膜。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 21/20

FI (2)：

H01L21/205 , H01L21/20

F-Term (28)：

5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD10 , 5F045AF09 , 5F045BB11 , 5F045CB02 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F152LL03 , 5F152LM08 , 5F152MM02 , 5F152MM03 , 5F152MM04 , 5F152MM05 , 5F152MM08 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM11 , 5F152NN01 , 5F152NN05 , 5F152NN09 , 5F152NN10 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜積層構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-385344 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 学校法人大阪工大摂南大学
III族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-153132 Applicant：DOWAエレクトロニクス株式会社
半導体装置及びその製造方法、結晶及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2013-131172 Applicant：ROCA株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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