III族窒化物結晶の結晶品質改善方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006196570
Publication number (International publication number)：2008028007
Application date： Jul. 19, 2006
Publication date： Feb. 07, 2008
Summary：

【課題】エピタキシャル基板などのIII族窒化物結晶基板を構成するIII族窒化物結晶における結晶品質の改善を実現する。【解決手段】窒素ガス供給源102から供給される窒素ガスと、水蒸気ガス供給源103から供給される水蒸気ガスとの混合ガスを供給しつつ炉体101の内部を加熱することで、酸素元素含有ガスとしての水蒸気ガスが添加された窒素元素含有ガスの雰囲気下でエピタキシャル基板10が熱処理される。1500°C以上の温度で加熱を行うことにより、エピタキシャル基板10の上部層2の表面の平坦性を良好に維持しつつ、より具体的には、バンチングを発生させることなく原子レベルの平坦性を確保しつつ、該上部層2を構成するIII族窒化物結晶の結晶品質の改善を実現することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

III族窒化物結晶基板を構成するIII族窒化物結晶の結晶品質改善方法であって、酸素元素含有ガスが添加されてなる窒素元素含有ガスを雰囲気ガスとして1500°C以上の加熱温度でIII族窒化物結晶を加熱する加熱工程を有する、ことを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶品質改善方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 , C30B 29/38

FI (3)：

H01L21/324 C , H01L21/324 X , C30B29/38 C

F-Term (14)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE13 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077FE02 , 4G077FE03 , 4G077FE11 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TB04 , 4G077TB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

欧州特許出願公開1614775号明細書
III-V族窒化物系半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-084963 Applicant：日本電気株式会社, 日立電線株式会社

Cited by examiner (4)

III族窒化物膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-233183 Applicant：日本碍子株式会社
単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-068361 Applicant：財団法人理工学振興会
高結晶性窒化アルミニウム積層基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-262268 Applicant：財団法人理工学振興会

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