AlN系III族窒化物単結晶厚膜の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006297505
Publication number (International publication number)：2008115023
Application date： Nov. 01, 2006
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】結晶品質に優れ、かつクラックのないAlN系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法を提供する。【解決手段】エピタキシャル基板上に、HVPE法によってAlN系III族窒化物厚膜を得る場合に、通常の成長条件で厚膜層の形成を行う第1の工程と、その時点で形成されている厚膜層を第1の工程における厚膜層の形成温度T1以上の高温状態T2で保持することを主目的とする第2の工程とを適宜のタイミングで切り替えつつ繰り返し行うようにする。これにより、それぞれの第1の工程において厚膜層に内在する歪を第2の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

所定の基板の上にAlN系III族窒化物単結晶層を積層することによりAlN系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法であって、化学的気相成長法によりAlN系III族窒化物単結晶層を形成する形成工程、を備え、前記形成工程は、第1の温度および第1の雰囲気条件のもとで行う第1工程と、第2の温度および第2の雰囲気条件のもとで行う第2工程と、を繰り返す工程であり、前記第2の温度は前記第1の温度以上の温度であり、前記第2の雰囲気条件は、前記第1の成長条件よりもAlN系III族窒化物単結晶層の成長速度が遅くなる条件である、ことを特徴とするAlN系III族窒化物単結晶厚膜の作製方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , H01L 21/20 , C30B 25/10 , C23C 16/34

FI (5)：

C30B29/38 C , H01L21/205 , H01L21/20 , C30B25/10 , C23C16/34

F-Term (79)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE13 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077ED04 , 4G077EH09 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB05 , 4G077TC06 , 4G077TC10 , 4G077TC12 , 4G077TK08 , 4G077TK11 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA11 , 5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA08 , 5F045AA12 , 5F045AA19 , 5F045AB09 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB13 , 5F045CA09 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LL10 , 5F152LM08 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN04 , 5F152LN22 , 5F152LN23 , 5F152LN26 , 5F152MM01 , 5F152MM08 , 5F152MM18 , 5F152NN02 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN05 , 5F152NN07 , 5F152NN09 , 5F152NN10 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NP27 , 5F152NP29 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

AlNエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-028489 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社

Cited by examiner (4)

半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219179 Applicant：日本電信電話株式会社
AlNエピタキシャル層の成長方法及び気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-028489 Applicant：農工大ティー・エル・オー株式会社
III族窒化物結晶の表面平坦性改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-168463 Applicant：日本碍子株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Surface Smoothing Mechanism of AlN Film by Initially Alternating Supply of Ammonia

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