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J-GLOBAL ID：201702269063870315   Reference number：17A1943194

Realization of red resonant cavity LEDs with an Eu-doped GaN active layer

Eu添加GaNを発光層にした狭帯域赤色垂直微小共振器LEDの実現

Author (4)： TATEBAYASHI JUN (大阪大 大学院工学研究科) ,  INABA TOMOHIRO (大阪大 大学院工学研究科) ,  SHIOMI KEISHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  FUJIWARA YASUFUMI (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 331(ED2017 49-71)  Page： 45-48  Publication year： Nov. 23, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *light emitting diode ,  *gallium nitride ,  *Europium ,  *reflector (electromagnetic) ,  optical resonator ,  MOCVD ,  *red light emitting diode
Semi thesaurus term： *red LED ,  *GAN ,  *europium ,  *distributed Bragg reflector ,  organometallic vapor phase epitaxy

JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (12)：

• Su-Huai Wei, Xiliang Nie, Iskander G. Batyrev, and S. B. Zhang, “Breakdown of the band-gap-common-cation rule: The origin of the small band gap of InN”, Phys. Rev. B, Vol. 67, p. 165209, Nov. 2003.
• M. D. McCluskey, L. T. Romano, B. S. Krusor, D. P. Bour, N. M. Johnson, and S. Brennan, “Phase separation in InGaN/GaN multiple quantum wells”, Appl. Phys. Lett. Vol. 72, pp.1730-1732, Apr. 1998.
• T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, “Quantum-Confined. Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36, pp. L382-L385, Apr. 1997.
• A. J. Steckl, J. C. Heikenfeld, D.-S. Lee, M. J. Garter, C. C. Baker, Y. Wang and R. Jones, “Rare-Earth-Doped GaN: Growth, Properties, and Fabrication of Electroluminescent Devices”, IEEE J. Select Topics in Quantum Electron. Vol 8, pp. 749-766.
• A. Nishikawa, T. Kawasaki, N. Furukawa, Y. Terai, and Y. Fujiwara, “Room-temperature red emission from a p-type/europium-doped/n-type gallium nitride light-emitting diode under current injection”, Appl. Phys. Express, vol. 2, pp. 071004/1-3, June, 2009.

Terms in the title (8)： Eu ,  GaN ,  発光層 ,  狭帯域 ,  赤色 ,  垂直 ,  微小共振器 ,  LED