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J-GLOBAL ID：201703001633231723

高透明性窒化アルミニウム単結晶層、及びこれからなる素子

Inventor： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  永島 徹 ,  木下 亨 ,  久保田 有紀 ,  ダルマウ,ラファエル エフ. ,  シェー,チンチャオ ,  ムーディ,バクスター エフ. ,  シュレッサー,ラウル ,  シタール,ズラトコ
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京農工大学 ,  株式会社トクヤマ ,  ヘキサテック インコーポレイテッド
Agent (1)： 前田・鈴木国際特許業務法人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015528445
Patent number：6042545
Application date： Aug. 23, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 波長265nmにおけるa軸方向の屈折率が2.250〜2.400であり、波長265nmにおける吸収係数が15cm-1以下であり、 波長265nmにおけるc軸方向の屈折率がa軸よりも大きく、a軸方向とc軸方向との屈折率の差が0.05〜0.15である高透明性AlN単結晶層。

IPC (2)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 25/02 ( 200 6.01)

FI (2)：

C30B 29/38 C ,  C30B 25/02 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• AlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-207230   Applicant：住友電気工業株式会社
• 低欠陥の大きな窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-543389   Applicant：クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
• III族窒化物結晶の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-218475   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-164573   Applicant：日立電線株式会社

Cited by examiner (4)

• AlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-207230   Applicant：住友電気工業株式会社
• 低欠陥の大きな窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2008-543389   Applicant：クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
• III族窒化物結晶の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-218475   Applicant：住友電気工業株式会社
• 窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-164573   Applicant：日立電線株式会社