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J-GLOBAL ID：201703005426373343

検査装置および検査方法

Inventor：
三浦 幸也

About 三浦 幸也


Applicant, Patent owner：
公立大学法人首都大学東京

About 公立大学法人首都大学東京


Agent (1)： 亀井 岳行
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012225361
Publication number (International publication number)：2014077697
Patent number：6210476
Application date： Oct. 10, 2012
Publication date： May. 01, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】予め設定された周期のクロック信号に同期した入力信号に応じた情報処理を行って処理結果の出力信号を出力する大規模集積回路であって、劣化検知専用の回路を有しない前記大規模集積回路に対して、前記大規模集積回路の経時的な劣化を検出する劣化検出装置であって、 劣化の検査対象の前記大規模集積回路から出力された出力信号が入力されるとともに、前記入力信号とは位相が異なる比較信号を使用して、前記大規模集積回路の使用開始初期の出力信号に対する現在の出力信号の遅延を検出する遅延検出回路と、 前記遅延検出回路で検出された遅延が、予め設定された遅延時間を超えた場合に、前記大規模集積回路が劣化したと判定する劣化判定回路と、 を備えたことを特徴とする検査装置。
IPC (3)：
G01R 31/26 ( 201 4.01) ,  H03K 19/00 ( 200 6.01) ,  G01R 31/28 ( 200 6.01)
FI (3)：
G01R 31/26 G ,  H03K 19/00 220 ,  G01R 31/28 V
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 劣化診断回路及び半導体集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-329699   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置及びその試験方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-263309   Applicant：株式会社東芝
  • 不揮発性半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-001203   Applicant：シャープ株式会社
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