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J-GLOBAL ID：201703008461979300

半導体装置とその製造方法

Inventor： 杉本 雅裕 ,  加地 徹 ,  中野 由崇 ,  上杉 勉 ,  上田 博之 ,  副島 成雅
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013018260
Publication number (International publication number)：2013123074
Patent number：6096523
Application date： Feb. 01, 2013
Publication date： Jun. 20, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 第1層と第2層と表面層がこの順に積層され、表面層の表面側にゲート電極が形成されているノーマリオフで動作する半導体装置であり、 第1層は、p型又は真性の窒化ガリウムで構成されており、 第2層は、n型の窒化アルミニウムガリウムで構成されており、 表面層は、p型のGaN系化合物半導体で構成されており、 ゲート電極に電圧が印加されていない場合、第2層及び表面層が空乏化され、第2層の伝導体の下限がフェルミ準位よりも上側に存在し、ゲート電極に正電圧が印加されると第1層と第2層との接合界面近傍にポテンシャル井戸が発生するとともに、その電位レベルがフェルミ準位よりも下側に存在して、ポテンシャル井戸に2DEG(2 Dimensional Electron Gas:2次元電子ガス)が発生することで、ノーマリオフで動作するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (9)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/337 ( 200 6.01) ,  H01L 27/098 ( 200 6.01) ,  H01L 29/808 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 C ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 618 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開昭59-022367
  
• 特開平4-015929
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-058021   Applicant：三菱電機株式会社
• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235336   Applicant：日本電信電話株式会社
• GaN系半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-246113   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-054330   Applicant：株式会社東芝