複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：河野広明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015130292
Publication number (International publication number)：2017017111
Application date： Jun. 29, 2015
Publication date： Jan. 19, 2017
Summary：

【課題】少なくとも表面がSiCである母材の該表面の触媒活性化を実現する複合材料、及び該SiC表面とめっき材との密着性を有する複合材料、それらの製造方法、並びにそれらの製造装置を提供する。【解決手段】本発明の1つの複合材料の製造方法は、少なくとも最上層にシリコンカーバイド(SiC)層が形成されている母材の表面を、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、及び銅(Cu)の群から選択される少なくとも一種の第1金属の第1イオンを含有する第1溶液に接触させることにより、その母材の表面上に前述のシリコンカーバイド(SiC)層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の前記第1金属を分散配置する分散配置工程を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくとも最上層にシリコンカーバイド(SiC)層が形成されている母材の表面を、金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、及び銅(Cu)の群から選択される少なくとも一種の第1金属の第1イオンを含有する第1溶液に接触させることにより、前記母材の表面上に前記シリコンカーバイド(SiC)層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の前記第1金属を分散配置する分散配置工程を含む、複合材料の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/288 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , C23C 18/18 , C23C 18/16

FI (7)：

H01L21/288 E , H01L21/28 301B , H01L21/88 B , H01L21/88 M , H01L21/28 301R , C23C18/18 , C23C18/16 B

F-Term (27)：

4K022AA05 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022CA06 , 4K022CA12 , 4K022CA15 , 4K022CA16 , 4K022CA20 , 4K022CA21 , 4K022DA01 , 4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104DD53 , 4M104HH08 , 5F033GG00 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033KK13 , 5F033PP28 , 5F033WW00 , 5F033XX13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-135091
金属めっき皮膜を有する半導体基材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-162165 Applicant：国立大学法人福井大学, 清川メッキ工業株式会社
シリコン基板の無電解めっき方法およびシリコン基板上の金属層形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-312373 Applicant：アルプス電気株式会社

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