デュアルゲート有機薄膜トランジスタ

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013117654
Publication number (International publication number)：2014236138
Patent number：6210530
Application date： Jun. 04, 2013
Publication date： Dec. 15, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体薄膜が設けられるとともに、前記有機半導体薄膜中を流れるキャリアを制御する有機半導体薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体薄膜は第1の有機半導体層及び前記第1の有機半導体層と光活性度の異なる第2の有機半導体層が積層されて構成され、前記有機半導体薄膜の第1の面及び第2の面上にそれぞれ第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜を介して第1のゲート電極及び第2のゲート電極を設けたデュアルゲート有機薄膜トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 51/05 ( 200 6.01) , H01L 51/30 ( 200 6.01) , H01L 51/40 ( 200 6.01)

FI (9)：

H01L 29/78 622 , H01L 29/78 613 B , H01L 29/78 617 N , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 E , H01L 29/28 100 A , H01L 29/28 220 A , H01L 29/28 310 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-244032 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-399801 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-239850 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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