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J-GLOBAL ID：201703010496307449
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、磁気メモリ、磁界センサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
特許業務法人サクラ国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015131471
Publication number (International publication number)：2015212996
Patent number：6054479
Application date： Jun. 30, 2015
Publication date： Nov. 26, 2015
Claim (excerpt)：
【請求項1】 第1の電極と、
第2の電極と、
前記1の電極と前記第2の電極との間に設けられた反強磁性層と、
前記第2の電極と前記反強磁性層との間に設けられ磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、
前記第2の電極と前記磁化固着層との間に設けられ、酸化物を有する絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と、
前記第2の電極と前記スペーサ層との間に設けられ磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、
前記磁化自由層の層中に設けられ、Si、Mg、及びBから選択されFeよりも酸化物生成自由エネルギーが低い元素を少なくとも一つ含む機能層と、
を備えることを特徴とする、磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
G11B 5/39 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 43/12 ( 200 6.01)
G11B 5/39
, H01L 27/10 447
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
Cited by examiner (10)
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