半導体装置とその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015092719
Publication number (International publication number)：2015135992
Patent number：6185508
Application date： Apr. 30, 2015
Publication date： Jul. 27, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1層と第2層と表面層が積層され、表面層の表面にゲート電極が接触しているノーマリオフで動作する半導体装置であり、第1層は、第1種類のGaN系化合物半導体で構成されており、第2層は、n型の第2種類のGaN系化合物半導体で構成されており、表面層は、p型のGaN系化合物半導体で構成されており、第1種類のGaN系化合物半導体のバンドギャップよりも第2種類のGaN系化合物半導体のバンドギャップの方が大きく、ゲート電極にオン電圧が印加されていないときに、第2層と表面層が実質的に空乏化され、以下の(1)及び(2)の式を満たすことを特徴とする半導体装置。 Xd<(2εNaVd/(qNd(Na+Nd)))1/2 ・・・・(1) Xa<(2εNdVd/(qNa(Na+Nd)))1/2 ・・・・(2) ここで、Xdは第2層の膜厚であり、Ndは第2層のドナー密度であり、Xaは表面層の膜厚であり、Naは表面層のアクセプタ密度であり、Vdは第2層と表面層で形成される拡散電位であり、εはGaN系化合物半導体の誘電率であり、qは電子電荷の絶対値である。

IPC (5)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/80 H , H01L 29/78 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-058021 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-054330 Applicant：株式会社東芝
高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057070 Applicant：古河電気工業株式会社

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