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J-GLOBAL ID：201802210491329473   Reference number：18A2242896

Epitaxial growth of perovskite-type oxide thin film on (111)SrTiO₃ substrate using (101)PdO as a buffer layer

バッファ層として(101)PdOを用いた(111)SrTiO₃基板上へのペロブスカイト型酸化物薄膜のエピタキシャル成長

Author (5)： TANAKA Hiroki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  UCHIYAMA Kiyoshi (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll., Yamagata, JPN) ,  OIKAWA Takahiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Takao (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 11S  Page： 11UF04.1-11UF04.4  Publication year： Nov. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *buffer layer ,  *palladium oxide ,  *strontium titanate ,  perovskite type crystal ,  oxide ,  thin film ,  *epitaxy ,  X-Ray Diffraction ,  sputtered deposition ,  magnetron sputtering ,  oxide thin film
Semi thesaurus term： *epitaxial growth ,  XRD analysis ,  RF magnetron sputtering

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Crystal growth of oxides  (BK13050I)

Reference (31)：

• J. G. Bednorz and K. A. Müller, Z. Phys. B 64, 189 (1986).
• S. M. Spearing, Acta Mater. 48, 179 (2000).
• N. Setter, in Piezoelectric Materials in Devices, ed. N. Setter (Ceramics Laboratory EPFL Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, 2002) p. 1.
• J. F. Scott and C. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
• O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51 [7], 22 (1998).

Terms in the title (5)： バッファ層 ,  PdO ,  ペロブスカイト ,  酸化物薄膜 ,  エピタキシャル成長