Art

J-GLOBAL ID：201802228973706438   Reference number：18A1330587

SiO₂/AlON stacked gate dielectrics for AlGaN/GaN MOS heterojunction field-effect transistors

AlGaN/GaN MOSヘテロ接合電界効果トランジスタ用SiO₂/AlON積層ゲート誘電体

Author (12)： WATANABE Kenta (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TERASHIMA Daiki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NOZAKI Mikito (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMADA Takahiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  NAKAZAWA Satoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ANDA Yoshiharu (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, JPN) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6S3  Page： 06KA03.1-06KA03.6  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum compound ,  *gallium nitride ,  heterojunction ,  *MOS structure ,  FET ,  silicon dioxide ,  *oxygen compound ,  *nitride ,  *gate dielectric film ,  multilayer film ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  binding energy ,  *capacitance-voltage characteristic ,  *leakage current ,  *voltage
Semi thesaurus term： *AlGaN/GaN ,  field effect transistor ,  *aluminium oxynitride ,  multilayer ,  *leakage current ,  *breakdown voltage

JST classification (2)： Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Reference (35)：

• M. Asif Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
• Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 17, 455 (1996).
• A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. 19, 54 (1998).
• M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
• X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, J. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 79, 2832 (2001).

Terms in the title (7)： AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  SiO2 ,  ゲート誘電体