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J-GLOBAL ID：201802231001130947   Reference number：18A2161639

Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

有機金属気相エピタクシーによりホモエピタキシャル成長させたSchottky障壁ダイオードのための高純度c面およびm面GaN層の比較

Author (10)： NAGAMATSU Kentaro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ANDO Yuto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YE Zheng (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  BARRY Ousmane I (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Atsushi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  DEKI Manato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NITTA Shugo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HONDA Yoshio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  PRISTOVSEK Markus (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 10  Page： 105501.1-105501.6  Publication year： Oct. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,  *homoepitaxy ,  Schottky barrier diode ,  purity ,  *gallium nitride ,  compound semiconductor ,  epitaxy ,  impurity concentration ,  electrical resistivity ,  *semiconductor thin film ,  *thin film growth ,  high grade ,  nitride semiconductor
Semi thesaurus term： organometallic vapor phase epitaxy ,  epitaxial growth

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (24)：

• T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
• K. Matocha, V. Tilak, and G. Dunne, Appl. Phys. Lett. 90, 123511 (2007).
• O. I. Barry, A. Tanaka, K. Nagamatsu, S.-Y. Bae, K. Lekhal, J. Matsushita, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, J. Cryst. Growth 468, 552 (2017).
• A. Tanaka, O. I. Barry, K. Nagamatsu, J. Matsushita, M. Deki, Y. Ando, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, Phys. Status Solidi A 214, 1600829 (2017).
• R. M. Farrell, E. C. Young, F. Wu, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Semicond. Sci. Technol. 27, 024001 (2012).

Terms in the title (6)： 有機金属気相エピタクシー ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  Schottky障壁ダイオード ,  高純度 ,  GaN